应IEEE/NPSS 辐射效应委员会(Radiation Effects Committee)邀请，中科院电子所杨海钢研究员、蔡刚副研究员于近期参加在法国巴黎召开的第51届国际核与空间辐射效应NSREC年会（The 2014 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference）。 

　　IEEE NSREC会议是国际原子核和空间辐射效应研究领域内最为重要的会议。第一届官方NSREC大会于1964年在美国西雅图华盛顿大学召开，当时主要作为美国核武器在电子设备中效应的研究论坛，如今已经成为宇航微电子空间辐射效应最具影响力的国际会议。 

　　本次大会吸引了包括美国宇航局NASA、欧宇航局（ESA）、喷气推进实验室JPL、海军实验室NRL、美国国防威胁降低局、空军技术研究所、Sandia国家实验室、Los Alamos国家科学研究室、法国国家太空研究中心、俄罗斯国立核能研究大学、Vanderbilt大学、加州大学圣巴巴拉分校、法国蒙彼利埃大学、Honeywell公司、波音公司、Thales Alenia宇航公司、德州仪器、IBM、Xilinx、ARM、Atmel、全球著名研究机构、大学、跨国企业的众多专家参加。大会主要内容包括有关辐射效应的短课程培训、有关辐射效应最新研究进展的专题技术报告及工业展览会等。 

　　电子所十一室杨海钢研究员、蔡刚副研究员受邀出席了本届大会并进行了题为“An Innovative SEU Hardened CMOS Latch”的论文展示，报道了电子所可编程芯片与系统研究室在抗单粒子翻转加固电路方面的突破性研究成果，引起了与会众多专家的浓厚兴趣和关注，并提出了一系列相关问题，杨海钢等分别作了详尽解答，并就部分问题进行了深入探讨和交流。该篇论文作者为十一室李天文，杨海钢，蔡刚等。 

　　此次参会近距离接触了国外抗辐照集成电路领域的专家和资料，进一步了解了产业公司、研究组织和大学在辐射效应研究领域的最新进展及相关的热点和重点问题，从而拓宽研究思路，明确未来的研究方向和发展目标。同时通过此次参会，也向外展示了电子所在抗辐照加固领域的最新研究成果和进展，有助于提升电子所在该领域的国际影响力。

（十一室 黄志洪）