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日开发下一代半导体基片
发布时间:2016-03-30 作者: 【字号:   【点击率: 打印本页 关闭
     本报东京11月5日电(记者 陈超) 日本经济产业省将从明年开始,研发利用纳米技术的耐高压、超周波的半导体基片。计划开发的下一代技术拟用氮化合物作半导体的基片,从而开发新的基片和成膜方法。新基片预计比目前基片的周波数和电压提高10倍以上。

    计划开发的半导体基片材料使用的氮化镓(GaN)和氮化铝(A1N),与电力用半导体元件材料碳化硅相比,具有耐高压和可实现超周波等优点。基片的膜材料将使用铝镓氮化合物(A1GaN)和铟稼氮化物(InGaN),基片和膜的结晶方向统一,将解决结晶不均的缺点。据悉,新技术将利用纳米技术控制结晶顺序排列。

    这一新计划预计从明年开始,5年内完成,日材料科学、半导体元件研究单位和大学等机构将参与研究。项目完成后由企业继续完善,直到2015年前后向市场推出。

    如果新基片开发成功,可以使超周波、耐高压的半导体器件研制突飞猛进。这一技术也将会广泛应用于汽车混合燃料系统、信息家电以及下一代移动末端等各个领域,使产品小型化、节能化目标得以实现。经济产业省测算,仅在变压器节能方面,至2030年可节约300万升原油。

    文章出处:科技日报
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